2019-09-04 王尊民

第三代半導體材料應用於基地台設備之市場分析

摘要

由於基地台設備需具備較大傳輸功率、使用頻率及耐高溫等特性,GaN材料十分適合應用於此。對現行基地台發展趨勢而言,GaN HEMT結構將逐漸取代舊有Si晶圓製造的LDMOS元件,且隨著4G LTE及5G基地台持續佈建,後續營收發展亦將逐步增長。

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