2026-06-11 李俊諺

AI伺服器電源完整性升級，推動矽電容與MLCC走向互補分工

焦點報告伺服器先進封測與設備材料

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摘要

AI伺服器電源完整性需求正從板端延伸至封裝內部，推動電容技術從傳統MLCC走向矽電容與MLCC的分層互補。MLCC仍是PCB、VRM、Power Shelf與電源模組中的主力元件，負責系統級去耦、濾波與穩壓；矽電容則因具備薄型化、低ESL、高頻特性佳，以及在DC bias與溫度變化下電容量較穩定等優勢，適合用於GPU、ASIC、HBM周邊與先進封裝內部的近die去耦。隨AI加速器走向chiplet、HBM堆疊與高功耗封裝，矽電容有望成為AI/HPC封裝級power integrity的重要補充元件。

一. 矽電容的優勢是低ESL與能在高壓高溫環境下保持穩定
二. 矽電容補足MLCC封裝內應用限制，兩者形成電源完整性分工
三. 供電瓶頸從PCB板端走向封裝內部，矽電容可能是解方
四. 台灣、日本、韓國主要矽電容廠商與供應鏈
五. 未來發展：矽電容將慢慢走向AI先進封裝標準配套
六. 拓墣觀點

圖一　矽電容示意圖
圖二　矽電容與MLCC在電壓和溫度變化下之電容量變化比較
圖三　矽電容可放置主要區域圖
圖四　矽電容未來技術方向和目前挑戰

表一　矽電容與MLCC比較
表二　台灣、日本、韓國矽電容技術廠相關動態表

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