AI推動Si-Cap整合封裝：技術路線、主要廠商與競爭態勢
摘要
隨著AI晶片對電源穩定性的需求提升，Si-Cap(矽電容)與其嵌入式/整合式之封裝成為重要的技術發展方向，關鍵廠商接二連三宣布其矽電容相關計畫，包含2026年4月14日SEMCO宣布計畫於越南擴大AI封裝生產線，用於生產Si-Cap Embedded Substrate，並在5月宣布取得北美大客戶約10億美元長約。2026年5月19日Analog Devices宣布以15億美元現金併購美國Si-Cap廠商Empower，以跨入AI供應鏈。
本篇報告主要深度解析：(1) Si-Cap技術背景；(2) Si-Cap主要廠商技術差異(Murata、SEMCO、愛普、Empower、台積電、Samsung、Intel)；(3) AI時代的Si-Cap嵌入式/整合式封裝需求。期能解析Si-Cap的技術原理、需求成長原因，以及與現有的廠商競爭態勢。
一. Si-Cap技術背景
二. Si-Cap主要廠商技術解析
三. AI時代的Si-Cap嵌入式/整合式封裝需求
四. 拓墣觀點
圖一 電容充放電原理
圖二 電容結構示意圖與電容值公式
圖三 Si-Cap深溝製程
圖四 Si-Cap可封裝位置
圖五 電容階層圖
圖六 IPDiA Embedded Si-Cap於Interposer
圖七 SEMCO Si-Cap可封裝位置
圖八 DRAM製程技術Roadmap
圖九 愛普S-SiCap可封裝位置
圖十 Empower ECAP可封裝位置
圖十一 台積電eDTC於CoWoS interposer
圖十二 Samsung 2.xD Cube平台
圖十三 Intel eDTC/eMIM-T於EMIB Substrate
表一 不同種類電容的材料與特性比較
表二 Si-Cap主要供應商比較表
表三 Foundry Embedded Si-Cap技術比較
表四 2025～2028年各AI晶片先進封裝規格
