2026-04-01 拓墣產業研究院

算力與電力的巔峰對決：SiC/GaN突破AI電力牆並定義高壓交通新標準

焦點報告中國半導體

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摘要

2026年功率半導體已由電子組件躍升為重塑全球能源路徑的戰略標準配備，特別是在AI資料中心跨越「電力牆」瓶頸與電動車800V高壓平台普及的趨勢下，SiC與GaN技術正跨入全球基建放量期。

一. SiC/GaN從技術前瞻跨越至全球基建綠能與AI生態標準配備
二. 世界先進擴大GaN-on-Si產品線，開拓功率半導體新戰場
三. 英諾賽科躋身全球Tier 1，重塑AI電源供應鏈格局
四. STMicroelectronics採用「SiC奠基+GaN擴展」，加速市場滲透
五. TI整合式GaN架構打造AI時代的電力管理核心
六. ROHM以內部化GaN生產與「印度製造」協作構築全球電力電子防線
七. Infineon以「SiC深耕、GaN補強」，驅動高效電力革命
八. 拓墣觀點

圖一　SiC/GaN功率半導體的四大轉型模式與核心競爭力
圖二　第三代半導體於AIDC的分工明確：SiC固守基建，GaN主攻末端
圖三　SiC作為降低資料中心整體營運成本(OpEx)與能源損耗的關鍵
圖四　GaN在電源供應器(PSU)的節能與轉換效率指標
圖五　全球領先車廠碳化矽(SiC)技術應用指南

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