Bumpless Bonding：Hybrid Bonding以外的技術解析與市場展望
摘要
受惠於台積電SoIC-X封裝在AI晶片中的滲透率提升，Hybrid Bonder在先進Foundry廠的訂單量提升；然Hybrid Bonding成本高昂，且對無塵室潔淨度要求極高，因此K&S也於2025年6月提出Cu-Cu TCB的論文，美國MIT Lincoln Laboratory則在2026年5月發表Bumpless Flip-Chip的論文，尋找比Hybrid Bonding更低成本的Bumpless Bonding技術。
本篇報告主要深度解析：(1) Die Bonder技術演進；(2)不同Bumpless Bonding技術比較；(3) Fluxless TCB、Bumpless Bonding市場展望。期能解析從Micro Bump演進到Bumpless的不同Die Bonder技術路線、不同Bumpless Bonding技術原理與效能，以及主要Die Bonder廠商布局。
一. Die Bonder技術演進
二. 不同Bumpless Bonding技術比較
三. Fluxless TCB、Bumpless Bonding市場展望
四. 拓墣觀點
圖一 Flip-Chip製程步驟
圖二 傳統Flux TCB與Fluxless TCB製程步驟
圖三 Micro Bump與Cu Pad示意圖
圖四 Hybrid Bonding製程步驟
圖五 Bumpless TCB為Hybrid Bonding前的過渡方案
圖六 TC Bonder精準控制溫度與壓力使Cu Pillar、resin貼合
圖七 UBM示意圖
圖八 3種Bumpless Bonding製程示意圖
圖九 SK hynix研究Hybrid Bonding對HBM封裝優勢
圖十 Samsung研究Hybrid Bonding對HBM封裝優勢
表一 3種Bumpless Bonding技術比較
表二 主要Die Bonder廠商布局
