2018～2022年中國IC設計產值變化
中國IC設計在全球IC設計產業中有其重要性與特殊性，在中國半導體自主化政策引導下，多家廠商紛紛冒出，讓中國IC設計產值在2022年持續成長。時序邁入2023年，中國半導體國產化進程持續，不過企業文化和產品本質有調整空間，加上美國對中國半導體禁令擴大，將成為牽動中國IC設計產業變化的重要因素。 [...]
AI於汽車產業的應用類型
AI於汽車產業的應用 Edge AI對車的重要性 多接取邊緣運算(MEC)技術應用 拓墣觀點 [...]
2019～2030年商用車電動化預估
商用車市場規模與電動化發展 電動商用車款與設計 商用車隊計畫 拓墣觀點 [...]
BJT、MOSFET、IGBT性能對比
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱絕緣柵雙極型電晶體，是車用功率半導體中最核心產品。從原理來看，IGBT是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，不僅具有MOSFET開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小等優點，還具備BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的特點。電壓範圍覆蓋600～ [...]
SiC襯底類別與應用
第三代半導體產業鏈可分為襯底材料製備、外延生長、元件製造與下游應用，其中襯底材料的電學性能決定下游晶片功能與性能的優劣。根據電學性能不同，SiC襯底可分為導電型(N-Type)和高純半絕緣型(HPSI)兩類。 導電型SiC襯底的電阻率區間為15～30mΩ·cm，其通常生長SiC同質外延，用來製造耐高溫高壓的SiC功率半導體元件 [...]
© 2026 拓墣科技 及/或 集邦科技 版權所有