2026年第二季全球DRAM市場份額格局
摘要
本篇報告以長鑫科技崛起為切入點，運用赫芬達爾－赫希曼指數(HHI)、古諾－納什博弈模型與混合寡頭博弈理論，對全球DRAM產業正在經歷的結構性變遷進行量化與機制層面的系統分析。根據研究發現，長鑫崛起並非簡單的「新增一個供應商」，而是沿4條主線對既有產業秩序構成結構性挑戰：(1)市場集中度從準壟斷區間(HHI約3300)向寡頭競爭區間(HHI約2850)不可逆地遷移，預計2028年將進一步降至約2664；(2)長鑫作為不受卡特爾資本紀律約束的外生變數，其逆週期投資特徵與混合寡頭屬性(利潤與社會福利雙目標函數)系統性的瓦解三寡頭合謀所需的行動一致性與懲罰機制可信度；(3)長鑫的產能釋放填補當前DRAM市場「雙重短缺」(實際產出遠低於卡特爾最優產量與社會最優產量)的缺口，推動產業產出從物理受限水準向卡特爾利潤最大化水準回歸，釋放被高價抑制的潛在需求；(4)長鑫的存在降低中國對海外DRAM之絕對依賴，削弱「斷供」威脅的可信度，為各方「競爭性共存」創造緩衝空間；然長鑫在通用DRAM領域具備攪局能力，但在HBM高階儲存領域仍存在2～3代以上技術差距，全球DRAM市場的「雙軌制」分化將長期存在。
