MLCC與矽電容比較
摘要
AI伺服器電源完整性需求正從板端延伸至封裝內部，推動電容技術從傳統MLCC走向矽電容與MLCC的分層互補。MLCC仍是PCB、VRM、Power Shelf與電源模組中的主力元件，負責系統級去耦、濾波與穩壓；矽電容則因具備薄型化、低ESL、高頻特性佳，以及在DC bias與溫度變化下電容量較穩定等優勢，適合用於GPU、ASIC、HBM周邊與先進封裝內部的近die去耦。隨AI加速器走向chiplet、HBM堆疊與高功耗封裝，矽電容有望成為AI/HPC封裝級power integrity的重要補充元件。
